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BSS139H6327XT

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 PG-SOT-23
数量：
 23735  
说明：
 MOSFET SIPMOS Small Signal Transistor
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BSS139H6327XT PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：BSS139 BSS139H6327XTSA1 H6327
典型关闭延迟时间：43 ns
上升时间：5.4 ns
功率耗散：360 mW
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：2.3 nC
下降时间：182 ns
包装形式：Reel
封装形式：PG-SOT-23
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：14 Ohms at 10 V
漏极连续电流：30 mA
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：250 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

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