Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BSC010N04LS | Infineon Technologies | DSON-8 | MOSFET 40V Super S08 | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
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BSC010N04LSI | Infineon Technologies | DSON-8 | MOSFET 40V Super S08 | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
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BSC010NE2LS | Infineon Technologies | TDSON-8 | 386 | MOSFET N-Channel 25V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲... | ||||||
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BSC010NE2LSI | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 25V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BSC010NE2LSIATMA1 BSC010NE2LSIXT SP000854376... | ||||||
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BSC010NE2LSIXT | Infineon Technologies | MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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BSC011N03LS | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | MOSFET N-CH 30V 100A | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲... | ||||||
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BSC011N03LSIXT | Infineon Technologies | PG-TSDSON-8 | MOSFET OptiMOS Power MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 ... | ||||||
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BSC014N03LS G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET OptiMOS3 PWR-MOSFET N-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC014N03MS G | Infineon Technologies | TDSON | 3737 | MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET 30V 100A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC014N04LS | Infineon Technologies | DSON-8 | MOSFET 40V Super S08 | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
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BSC014N04LSATMA1 | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET MV POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BSC014N04LS BSC014N04LSXT，... | ||||||
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BSC014N04LSI | Infineon Technologies | DSON-8 | MOSFET 40V Super S08 | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
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BSC014NE2LSIXT | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | MOSFET OptiMOS Power MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 ... | ||||||
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BSC016N03LS G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET OptiMOS3 PWR-MOSFET N-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC016N03LSG | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源... | ||||||
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BSC016N03MS G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET 30V 100A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，... | ||||||
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BSC016N04LS G | Infineon Technologies | TDSON | 4627 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 40V 100A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC016N06NS | Infineon Technologies | DSON-8 | MOSFET 60V SuperS08 | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
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BSC016N06NSATMA1 | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 101,723 | MOSFET MV POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲... | ||||||
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BSC017N04NS G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 40V 100A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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