Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SISC2,9N20D | Infineon Technologies | MOSFET N-KAN | |||
| 参数：制造商：Infineon，包装形式：Wafer Pack，工厂包装数量：1，零件号别名：SISC29N20DX1SA1 SISC29N20DZJ SP00001... | ||||||
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SISC6,24P06 | Infineon Technologies | MOSFET P-KAN | |||
| 参数：制造商：Infineon，包装形式：Reel，工厂包装数量：3000，零件号别名：SISC624P06X3MA1 SISC624P06ZM SP00001395... | ||||||
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BSD840N L6327 | Infineon Technologies | PG-SOT363-PO | MOSFET N-Channel 20V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：0.88 A... | ||||||
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BSD840NH6327XT | Infineon Technologies | PG-SOT-23 | 2952 | MOSFET OptiMOS 2 Small Signal Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：880 m... | ||||||
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BSF024N03LT3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 30V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BSF024N03LT3GXT BSF024N03LT3GXUMA1 SP0006169... | ||||||
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BSF030NE2LQ | Infineon Technologies | WDSON-2 | 3859 | MOSFET N-KAN | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：75 A，... | ||||||
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BSF045N03LQ3 G | Infineon Technologies | MOSFET OptiMOS 3 PWR-MOSFET N-CH | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSF045N03MQ3 G | Infineon Technologies | 3-WDSON | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSF050N03LQ3 G | Infineon Technologies | WDSON-2 | 5000 | MOSFET N-Channel 30V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：60 A，... | ||||||
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BSF053N03LT G | Infineon Technologies | 3-WDSON | MOSFET OptiMOS 2 PWR N-CH 30V 71A 5.3mOhm | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSF073NE2LQGXT | Infineon Technologies | MOSFET OptiMOS2 PWR-MOSFET N-CH | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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BSF077N06NT3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：5000，零件号别名：BSF077N06NT3GXT BSF0... | ||||||
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BSF083N03LQ G | Infineon Technologies | 3-WDSON | MOSFET OptiMOS 2 PWR N-CH 30V 53A 8.3mOhm | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSF134N10NJ3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-KAN | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BSF134N10NJ3GXT BSF134N10NJ3GXUMA1 SP0006045... | ||||||
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BSF885N03LQ3 G | Infineon Technologies | 5000 | MOSFET N-KAN | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，包装形式：Reel，零件号别名：BSF885N03LQ3GXT BSF885N03LQ3... | ||||||
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BSB008NE2LXXT | Infineon Technologies | MG-WDSON-2 | MOSFET OptiMOS Power MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：180 ... | ||||||
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BSB012N03LX3 G | Infineon Technologies | MG-WDSON-2，CanPAK M? | MOSFET OptiMOS3 PWR-MOSFET N-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：39 A，... | ||||||
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BSB012N03MX3GXT | Infineon Technologies | MOSFET OptiMOS 3 PWR-MOSFET DUAL SIDE COOLING | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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BSB012NE2LX | Infineon Technologies | MG-WDSON-2，CanPAK M? | MOSFET N-Channel 25V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BSB012NE2LXXT BSB012NE2LXXUMA1 SP000756344，... | ||||||
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BSB013NE2LXI | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 25V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BSB013NE2LXIXT BSB013NE2LXIXUMA1 SP000756346... | ||||||
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