Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IPI048N12N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 120V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：SP000717484，... | ||||||
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IPI04CN10N G | Infineon Technologies | PG-TO262-3 | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANS 100V 100A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPI052NE7N3 G | Infineon Technologies | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-Channel 75V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，... | ||||||
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IPI057N08N3 G | Infineon Technologies | PG-TO262-3 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 80V 80A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPI05CN10N G | Infineon Technologies | PG-TO262-3 | MOSFET N-CH 100V 100A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPI05CNE8N G | Infineon Technologies | TO-262 | 490 | MOSFET N-CH 85V 100A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPI06CN10N G | Infineon Technologies | PG-TO262-3 | MOSFET N-CH 100V 100A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPI06CNE8N G | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET N-CH 85V 100A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPI070N06NG | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPI070N08N3 G | Infineon Technologies | PG-TO262-3 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPI072N10N3 G | Infineon Technologies | TO-262 | 500 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPI075N15N3 G | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 150V 100A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPI076N12N3 G | Infineon Technologies | TO-262-3 | 427 | MOSFET N-Channel 120V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：120 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 ... | ||||||
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IPI086N10N3 G | Infineon Technologies | TO-262 | 500 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A... | ||||||
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IPI08CN10N G | Infineon Technologies | PG-TO262-3 | MOSFET N-CH 100V 95A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPI08CNE8N G | Infineon Technologies | PG-TO262-3 | MOSFET N-CH 85V 95A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPI09N03LA | Infineon Technologies | PG-TO262-3 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPI100N04S303 | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源... | ||||||
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IPI100N04S3-03 | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET OPTIMOS -T PWR-TRANS 40V 100A 2.5mOhms | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPI100N04S3-03M | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：IPI100N04S303MATMA2 IPI100N04S303MXT SP00046... | ||||||
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