Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SPD30N03S2L-20 G | Infineon Technologies | TO-252 | 2494 | MOSFET POWER MOSFET DISCRETE | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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SPD30P06P | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET P-CH -60 V -30 A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 ... | ||||||
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SPD30P06P G | Infineon Technologies | MOSFET SIPMOS Power Transistor | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：2500，零件号别名：SP000441776 SPD30P06PGBTMA1 SPD3... | ||||||
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SPD35N10 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-CH 100V 35A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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SPD50N03S2-07 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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SPD50N03S2-07 G | Infineon Technologies | TO-252 | 2490 | MOSFET POWER MOSFET DISCRETE | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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SPD50N03S2L-06 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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SPD50N03S2L-06 G | Infineon Technologies | TO-252 | 2500 | MOSFET POWER MOSFET DISCRETE | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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SPD50P03L G | Infineon Technologies | TO-252 | 675 | MOSFET P-CH 30V 50A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 ... | ||||||
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SPN01N60C3 | Infineon Technologies | PG-SOT223-4 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS 650V .3A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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SPN02N60C3 | Infineon Technologies | PG-SOT223-4 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS 650V .4A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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SPN02N60C3 E6433 | Infineon Technologies | PG-SOT223-4 | MOSFET COOL MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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SPN02N60S5 | Infineon Technologies | PG-SOT223-4 | MOSFET TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：3.5 V，漏极... | ||||||
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SPN03N60C3 | Infineon Technologies | PG-SOT223-4 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS 650V .7A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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SPN03N60C3 E6433 | Infineon Technologies | PG-SOT-223 | MOSFET COOL MOS N-CH 650V 0.7A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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SPN03N60S5 | Infineon Technologies | PG-SOT223-4 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：0.7 ... | ||||||
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SPN04N60S5 | Infineon Technologies | PG-SOT223-4 | MOSFET COOL MOS N-CH 600V 0.8A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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SPP02N60C3 | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET COOL MOS N-CH 600V 1.8A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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SPP02N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：1.8 A，电阻... | ||||||
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SPP02N60S5 | Infineon Technologies | TO-220 | 366 | MOSFET COOL MOS N-CH 600V 1.8A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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