SPD50N03S2L-06 G

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-252
数量:
 6352  
说明:
 MOSFET POWER MOSFET DISCRETE
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中文参数如下:

零件号别名:SP000443924 SPD50N03S2L06GBTMA1 SPD50N03S2L06GXT
典型关闭延迟时间:35 ns
工厂包装数量:2500
上升时间:19 ns
功率耗散:136 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:24 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-252
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0064 Ohms
漏极连续电流:50 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Infineon

以上是SPD50N03S2L-06 G的详细信息,包括SPD50N03S2L-06 G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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