SPN02N60S5

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-SOT223-4
数量：: 2169
说明：: MOSFET TRANSISTOR

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SPN02N60S5 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：110 ns
工厂包装数量：1000
上升时间：15 ns
功率耗散：1.8 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：15 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-223-4
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3 Ohms
漏极连续电流：400 mA
闸/源击穿电压：3.5 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

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