Diodes Inc.
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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DMN3033LSN-7 | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 72,106 | MOSFET N-Channel | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMN3033LSS-13 | Diodes Inc. | MOSFET SINGLE N-CHANNEL | |||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：2500，... | ||||||
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DMN3050S-7 | Diodes Inc. | SOT-23-3 | MOSFET SINGLE N-CHANNEL | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMN3051L-7 | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 39,721 | MOSFET 1.4W 30V 5.8A | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMN3051LDM-7 | Diodes Inc. | SOT-23-6 | MOSFET 30V 4A N-CHANNEL | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMN3052L-7 | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 1.4W 30V 5.4A | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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DMN3052LSS-13 | Diodes Inc. | 8-SO | MOSFET SINGLE N-CHANNEL | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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DMN3110S-7 | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 28,409 | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 SOT23,3K | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMN3112S-7 | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 1.4W 30V 5.8A | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMN3112SSS-13 | Diodes Inc. | 8-SOP | MOSFET SINGLE N-CHANNEL | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMN3115UDM-7 | Diodes Inc. | SOT-23-6 | MOSFET 900mW 30Vdss | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 8 ... | ||||||
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DMN3135LVT-7 | Diodes Inc. | TSOT-26 | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V TSOT23 T&R 3K | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMN3150L-7 | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 1,298 | MOSFET N-Channel | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：28 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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DMN3150LW-7 | Diodes Inc. | SC-70，SOT-323 | MOSFET 0.35W 28V 1.6A | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：28 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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DMN3200U-7 | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 178,136 | MOSFET 650mW 30Vdss | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 8 ... | ||||||
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DMN32D2LDF-7 | Diodes Inc. | SOT-353 | MOSFET 350mw 30V DUAL | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 10... | ||||||
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DMN32D2LFB4-7 | Diodes Inc. | 3-XFDFN | 211,181 | MOSFET 350mW 30Vdss | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 10... | ||||||
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DMN3300U-7 | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 8,240 | MOSFET 600mW 30Vdss | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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DMN3404L-7 | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 36,779 | MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMN3730U-7 | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 101,844 | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 SOT23,3K | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 8 ... | ||||||
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