Infineon Technologies
|
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
FF800R12KL4C | Infineon Technologies | IHM | IGBT 模块 1200V 800A DUAL | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCE... | ||||||
|
|
FF800R17KE3 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 1.15KA | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual Dual Collector Dual Emitter，集电极—发射极... | ||||||
|
|
FF800R17KE3_B2 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 1.2KA | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual Dual Collector Dual Emitter，集电极—发射极... | ||||||
|
|
FF800R17KF6C_B2 | Infineon Technologies | IHM | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 1.3KA | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，集电极—射极饱和电压：... | ||||||
|
|
FF800R17KF6C_B4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1700V 800A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
|
|
FF800R17KF6C-B2 | Infineon Technologies | IHM | IGBT 模块 1700V 800A DUAL | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCE... | ||||||
|
|
FF800R17KP4_B2 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1700V 800A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
|
|
FF900R12IE4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 900A | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，... | ||||||
|
|
FF900R12IP4 | Infineon Technologies | PRIME2 | IGBT 模块 IGBT-MODULE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
|
|
FF900R12IP4D | Infineon Technologies | PRIME2 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 900A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极电流：900 A... | ||||||
|
|
FF1200R17KE3_B2 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 1.7KA | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual Dual Collector Dual Emitter，集电极—发射极... | ||||||
|
|
FF1200R17KP4_B2 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1700V 1200A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
|
|
FF1400R12IP4 | Infineon Technologies | PRIME3 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 1.4KA | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
|
|
FF150R12KE3_B8 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 150A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
|
|
FF150R12KE3G | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 1200V 150A DUAL | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCE... | ||||||
|
|
FF150R12KE3G_B2 | Infineon Technologies | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 225A | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，工厂包装数量：10，... | ||||||
|
|
FF150R12KS4 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 1200V 150A DUAL | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCE... | ||||||
|
|
FF150R12KS4_B2 | Infineon Technologies | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 225A | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，工厂包装数量：10，... | ||||||
|
|
FF150R12KT3G | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 225A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
|
|
FF150R12ME3G | Infineon Technologies | EconoDUAL-3 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 200A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：... | ||||||
16/51 首页 上页 [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] 下页 尾页
