FF150R12KS4

厂家：: Infineon Technologies
封装：: 62 mm
数量：: 2223
说明：: IGBT 模块 1200V 150A DUAL

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FF150R12KS4 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：500
安装风格：Screw
最小工作温度：- 40 C
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
封装形式：62 mm
最大工作温度：+ 125 C
功率耗散：1.25 KW
栅极—射极漏泄电流：400 nA
在25 C的连续集电极电流：225 A
集电极—射极饱和电压：3.2 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
配置：Dual
产品：IGBT Silicon Modules
RoHS：否
产品种类：IGBT 模块
制造商：Infineon

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