FF800R12KL4C

厂家：: Infineon Technologies
封装：: IHM
数量：: 3375
说明：: IGBT 模块 1200V 800A DUAL

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FF800R12KL4C PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：8
安装风格：Screw
最小工作温度：- 40 C
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
封装形式：IHM
最大工作温度：+ 125 C
功率耗散：5 KW
栅极—射极漏泄电流：600 nA
在25 C的连续集电极电流：1250 A
集电极—射极饱和电压：2.1 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
配置：Dual
产品：IGBT Silicon Modules
RoHS：否
产品种类：IGBT 模块
制造商：Infineon

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