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型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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BG 3230 E6327 |
Infineon Technologies |
PG-SOT363-PO |
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射频MOSFET小信号晶体管 DUAL N-Channel MOSFET Tetrode 5V |
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| 参数：Infineon Technologies|卷带（TR）|-|停产|MOSFET|2 N-通道（双）|800MHz|24dB|5 V|25mA|1.3dB|-|... |
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BG 3430R E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-363 |
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射频MOSFET小信号晶体管 RF MOSFET 25mA 200mW |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET小信号晶体管，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/... |
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BG 5120K E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-363 |
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射频MOSFET小信号晶体管 20mA 200mW |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET小信号晶体管，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/... |
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BG 5130R E6327 |
Infineon Technologies |
PG-SOT363-PO |
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射频MOSFET小信号晶体管 DUAL - N-Channel MOSFET Tetrode |
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| 参数：Infineon Technologies|卷带（TR）|-|停产|MOSFET|2 N-通道（双）|800MHz|24dB|3 V|25mA|1.3dB|10... |
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BG 5412K E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-363 |
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射频MOSFET小信号晶体管 Dual N-Ch MOSFET Tetrode |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single Dual Gate，晶体管极性：N-Channel，汲极/源... |
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BG 3123R E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-363 |
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射频MOSFET小信号晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET小信号晶体管，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/... |
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BG 3130 E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-363 |
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射频MOSFET小信号晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET小信号晶体管，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/... |
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BG 3130R E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-363 |
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射频MOSFET小信号晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET小信号晶体管，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/... |
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BG 3123 E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-363 |
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射频MOSFET小信号晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET小信号晶体管，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/... |
