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型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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2SC6060(STA4,Q) |
Toshiba |
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两极晶体管 - BJT NPN 230V 1A Transistor |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，工厂包装数量：50，... |
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2SD1525(F) |
Toshiba |
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两极晶体管 - BJT NPN VCEO 100V VCE 5V Ic 30A hFE 1000 min |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：100，... |
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2SC1815-GR(TPE2,F) |
Toshiba |
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两极晶体管 - BJT 50V NPN 150mA Bipolar Trans 60V |
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| 参数：制造商：Toshiba，RoHS：是，包装形式：Reel，... |
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2SC1815GRTE2FT |
Toshiba |
TO-92 |
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两极晶体管 - BJT x34 Small Signal Transistor |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：60 V，集电极—... |
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2SC1815-Y(TE2,F,T) |
Toshiba |
TO-92 |
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两极晶体管 - BJT x34 Small Signal Transistor |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：60 V，集电极—... |
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2SD1223(TE16L1,NQ) |
Toshiba |
PW-MOLD |
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两极晶体管 - BJT NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min |
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| 参数：Toshiba Semiconductor and Storage|卷带（TR）|-|在售|NPN - 达林顿|4 A|80 V|1.5V @ 6mA，3A|2... |
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2SD2012(F,M) |
Toshiba |
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两极晶体管 - BJT NPN VCEO 60V VCE 0.4 Ic 2A Audio Freq App |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... |
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2SD1407A-O(F) |
Toshiba |
TO-220 NIS |
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两极晶体管 - BJT NPN 100V 5A Transistor |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：100 V，集电极—发射极最大电压 V... |
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2SD1407A-Y(F) |
Toshiba |
TO-220NIS |
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两极晶体管 - BJT NPN 100V 5A Transistor |
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| 参数：Toshiba Semiconductor and Storage|管件|-|停产|NPN|5 A|100 V|2V @ 400mA，4A|100μA（ICBO... |
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2SD2257(Q) |
Toshiba |
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两极晶体管 - BJT NPN VCEO 100V VCE1.5 Ic 3A High-Power |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，包装形式：Reel，... |
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2SD2406-Y(F) |
Toshiba |
TO-220NIS |
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两极晶体管 - BJT NPN 80V 2A Transistor |
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| 参数：Toshiba Semiconductor and Storage|管件|-|停产|NPN|4 A|80 V|1.5V @ 300mA，3A|30μA（ICBO... |
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2SK2699(F,T) |
Toshiba |
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两极晶体管 - BJT N-Ch FET RDS 0.5 Ohm IDSS 100uA VDS 600V |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... |
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HN2E07JE(TE85L,F) |
Toshiba |
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4000 |
两极晶体管 - BJT Small Signal SBD + PNP (BRT) |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：NPN/PNP，集电极—发射极最大电压 VCEO：- 12... |
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HN1A01FU-Y(T5L,F,T |
Toshiba |
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两极晶体管 - BJT VCEO -50V IC -150mA HFE 120 - 400 200mW |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，包装形式：Reel，... |
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HN1B01FUGRLFT |
Toshiba |
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两极晶体管 - BJT VCEO 50V IC 150mA HFE 120 - 400 150mA |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，包装形式：Reel，... |
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HN1B04FU-GR(L,F,T) |
Toshiba |
2-2J1A |
5990 |
两极晶体管 - BJT VCEO 50V IC 150mA HFE 120 - 400 150mA |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：NPN/PNP，集电极—基极电压 VCBO：60 V, -... |
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HN1C01FUGRLFT |
Toshiba |
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两极晶体管 - BJT VCEO 50V IC 150mA HFE 120 - 400 150mA |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，包装形式：Reel，... |
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HN4B01JE(TE85L,F) |
Toshiba |
ESV |
4,000 |
两极晶体管 - BJT Vceo=-50V, Vceo=50V |
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| 参数：Toshiba Semiconductor and Storage|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|在售|NPN，PNP（耦... |
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HN7G01FE-A |
Toshiba |
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两极晶体管 - BJT INCORRECT MOUSER P/N Ic=-400mA Id=50mA |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，... |
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HN7G01FE-A(TE85L,F |
Toshiba |
ES-6 |
3830 |
两极晶体管 - BJT Vceo=-12V Vds=20V Ic=-400mA Id=50mA |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：PNP，集电极—基极电压 VCBO：- 15 V，集电极—... |
