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HN4B01JE(TE85L,F)

厂家：: Toshiba
封装：: ESV
数量：: 9058
说明：: 两极晶体管 - BJT Vceo=-50V, Vceo=50V

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HN4B01JE(TE85L,F) PDF参数资料

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中文参数如下：
认证机构：
封装封装/外壳：SOT-553
安装类型：表面贴装型
工作温度：150°C（TJ）
频率 - 跃迁：80MHz
功率 - 最大值：100mW
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 2mA，6V
电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 10mA，100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150mA
晶体管类型：NPN，PNP（耦合发射器）
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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