HN1B04FU-GR(L,F,T)

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中文参数如下：

包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：200 mW
集电极连续电流：+ / - 150 mA
封装形式：2-2J1A
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 125 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：120
增益带宽产品fT：150 MHz, 120 MHz
集电极—射极饱和电压：0.1 V
发射极 - 基极电压 VEBO：+ / - 5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：+ / - 50 V
集电极—基极电压 VCBO：60 V, - 50 V
晶体管极性：NPN/PNP
配置：Dual
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Toshiba

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