HN1B04FU-GR(L,F,T)

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：200 mW
集电极连续电流：+ / - 150 mA
封装形式：2-2J1A
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 125 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：120
增益带宽产品fT：150 MHz, 120 MHz
集电极—射极饱和电压：0.1 V
发射极 - 基极电压 VEBO：+ / - 5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：+ / - 50 V
集电极—基极电压 VCBO：60 V, - 50 V
晶体管极性：NPN/PNP
配置：Dual
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Toshiba

以上是HN1B04FU-GR(L,F,T)的详细信息，包括HN1B04FU-GR(L,F,T)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器   IGBT 模块  

两极晶体管 - BJT 最新产品：

RN1314,LF

TDTC143E,LM

TDTC144E,LM

TDTA143E,LM

RN1313,LF

TDTA144E,LM

TDTA114E,LM

TDTA143Z,LM

TDTC114Y,LM

TDTC123J,LM