| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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GT50J301(Q) |
Toshiba |
TO-3P |
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IGBT 晶体管 600V/150A DIS+FRD |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/-... |
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GT50J325(Q) |
Toshiba |
TO-3P |
73 |
IGBT 晶体管 600V/50A DIS+FRD |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/-... |
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GT5G131(TE12L,Q) |
Toshiba |
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IGBT 晶体管 IGBT, 400V, 130A |
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| 参数：制造商：Toshiba，工厂包装数量：3000，... |
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GT60M303(Q) |
Toshiba |
TO-3P |
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IGBT 晶体管 900V/60A DIS+FRD Trench |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：900 V，栅极/发射极最大电压：+/-... |
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GT60M323(Q) |
Toshiba |
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IGBT 晶体管 IGBT, 900V, 60A |
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| 参数：制造商：Toshiba，工厂包装数量：100，... |
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GT60N321(Q) |
Toshiba |
TO-3P（LH） |
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IGBT 晶体管 IGBT 1000V 60A |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1000 V，栅极/发射极最大电压：+/... |
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GT60N322(Q) |
Toshiba |
TO-3P |
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IGBT 晶体管 IGBT 1000V 57A |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1000 V，栅极/发射极最大电压：25... |
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GT8G131(TE12L,Q) |
Toshiba |
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IGBT 晶体管 IGBT, 400V, 150A |
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| 参数：制造商：Toshiba，工厂包装数量：3000，... |
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GT8G132(TE12L,Q) |
Toshiba |
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IGBT 晶体管 IGBT, 400V, 150A |
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| 参数：制造商：Toshiba，工厂包装数量：3000，... |
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GT8G133(TE12L,Q) |
Toshiba |
8-TSSOP |
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IGBT 晶体管 IGBT, 400V, 150A |
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| 参数：制造商：Toshiba，工厂包装数量：3000，... |
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GT8G134(TE12L,Q) |
Toshiba |
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IGBT 晶体管 IGBT, 400V, 150A |
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| 参数：制造商：Toshiba，工厂包装数量：3000，... |
