Infineon Technologies
|
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IGW25N120H3 | Infineon Technologies | TO-247-3 | 351 | IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：2.7 V，栅极/发射... | ||||||
|
|
IGW25T120 | Infineon Technologies | TO-247-3 | 17 | IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 1200V 25A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
|
|
IGW30N100T | Infineon Technologies | IGBT 晶体管 LoLoss IGBT TrnchStp Fieldstop tech | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：IGW30N100TFKSA1 IGW30N100TXK SP000380845，... | ||||||
|
|
IGW30N60H3 | Infineon Technologies | IGBT 晶体管 600V HI SPEED SW IGBT | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3XK SP000852242，... | ||||||
|
|
IGW30N60T | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
|
|
IGW40N120H3 | Infineon Technologies | IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：240，零件号别名：IGW40N120H3FKSA1 IG... | ||||||
|
IGW40N60H3 | Infineon Technologies | TO-247 | 337 | IGBT 晶体管 600V 40A 306W | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：1.95 V，栅极/发射极最大电压：20 V，在25... | ||||||
|
|
IGW40N65F5 | Infineon Technologies | PG-TO-247-3 | IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT | ||
| 参数：制造商：Infineon，集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V，集电极—射极饱和电压：2.1 V，栅极/发射极最大电压：20 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
|
IGW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | PG-TO247-3 | 228 | IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V，集电极—射极饱和电压：1.6 V，栅极/发射极最大电压... | ||||||
|
|
IGW40N65H5 | Infineon Technologies | PG-TO-247-3 | IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT | ||
| 参数：制造商：Infineon，集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V，集电极—射极饱和电压：2.1 V，栅极/发射极最大电压：20 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
|
|
IGW40N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | PG-TO247-3 | IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V，集电极—射极饱和电压：1.6 V，栅极/发射极最大电压... | ||||||
|
|
IGW40T120 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 1200V 40A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
|
|
IGW50N60H3 | Infineon Technologies | TO-247 | IGBT 晶体管 600V 50A 333W | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：1.85 V，栅极/发射极最大电压：20 V，在25... | ||||||
|
|
IGW50N60T | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
|
|
IGW50N65F5 | Infineon Technologies | PG-TO-247-3 | IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT | ||
| 参数：制造商：Infineon，集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V，集电极—射极饱和电压：2.1 V，栅极/发射极最大电压：20 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
|
|
IGW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | PG-TO247-3 | 85 | IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V，集电极—射极饱和电压：1.6 V，栅极/发射极最大电压... | ||||||
|
|
IGW50N65H5 | Infineon Technologies | PG-TO-247-3 | IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT | ||
| 参数：制造商：Infineon，集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V，集电极—射极饱和电压：2.1 V，栅极/发射极最大电压：20 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
|
|
IGW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | PG-TO247-3 | IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V，集电极—射极饱和电压：1.65 V，栅极/发射极最大电... | ||||||
|
|
IGW60T120 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 1200V 60A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
|
|
IGW75N60T | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 75A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
8/111 首页 上页 [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] 下页 尾页
