IGW50N60H3

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-247
数量:
 837  
说明:
 IGBT 晶体管 600V 50A 333W
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

IGW50N60H3 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

零件号别名:IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3XK SP000702548
工厂包装数量:240
安装风格:Through Hole
最小工作温度:- 40 C
包装形式:Tube
封装形式:TO-247
最大工作温度:+ 150 C
功率耗散:333 W
栅极—射极漏泄电流:100 nA
在25 C的连续集电极电流:50 A
栅极/发射极最大电压:20 V
集电极—射极饱和电压:1.85 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V
RoHS:是
制造商:Infineon

以上是IGW50N60H3的详细信息,包括IGW50N60H3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

  • 暂无电子元件图

    IGW50N60T

    IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A

  • 暂无电子元件图

    IGW50N65F5

    IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT

  • IGW50N65H5图片

    IGW50N65H5

    IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT

  • 暂无电子元件图

    IGW60T120

    IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 1200V 60A

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC