IGW50N65H5

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TO-247-3
数量：: 4464
说明：: IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT

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IGW50N65H5 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：IGW50N65H5FKSA1
安装风格：Through Hole
封装形式：PG-TO-247-3
功率耗散：145 W
栅极—射极漏泄电流：100 nA
在25 C的连续集电极电流：80 A
栅极/发射极最大电压：20 V
集电极—射极饱和电压：2.1 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V
制造商：Infineon

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