ZXTP2008ZTA

厂家：: Diodes Inc. / Zetex
封装：: SOT-89
数量：: 1667
说明：: 两极晶体管 - BJT 30V PNP Low Sat

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ZXTP2008ZTA PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：1000
包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：2100 mW
直流电流增益 hFE 最大值：300
封装形式：SOT-89
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：100
增益带宽产品fT：110 MHz
最大直流电集电极电流：5.5 A
发射极 - 基极电压 VEBO：7 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：30 V
集电极—基极电压 VCBO：- 30 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Diodes Inc.

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