ZXTP2012GTA

厂家：: Diodes Inc. / Zetex
封装：: SOT-223
数量：: 1334
说明：: 两极晶体管 - BJT 60V PNP Low Sat

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中文参数如下：

工厂包装数量：1000
包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：3 W
直流电流增益 hFE 最大值：100
集电极连续电流：- 5.5 A
封装形式：SOT-223
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：100 at 10 mA at 1 V, 100 at 2 A at 1 V, 45 at 5 A at 1 V, 10 at 10 A at 1 V
增益带宽产品fT：120 MHz
最大直流电集电极电流：5.5 A
集电极—射极饱和电压：- 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO：7 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：- 60 V
集电极—基极电压 VCBO：- 100 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Diodes Inc.

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