ZXTP19100CFFTA

厂家：: Diodes Inc.
封装：: SOT-23F
数量：: 981
说明：: 两极晶体管 - BJT PNP 100V Transistor

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ZXTP19100CFFTA PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：3000
包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：2000 mW
直流电流增益 hFE 最大值：200
封装形式：SOT-23F
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：200 at 100 mA at 2 V, 70 at 1 A at 2 V, 20 at 2 A at 2 V
增益带宽产品fT：142 MHz
最大直流电集电极电流：2 A
发射极 - 基极电压 VEBO：7 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：100 V
集电极—基极电压 VCBO：110 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Diodes Inc.

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