ZXMP3A17DN8TA

厂家：: Diodes Inc.
封装：: 8-SO
数量：: 4509
说明：: MOSFET Dl 30V P-Chnl UMOS

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：29.2 ns
工厂包装数量：500
上升时间：2.87 ns
功率耗散：2.1 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：8.72 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.11 Ohms
漏极连续电流：- 4.4 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：过渡期间
产品种类：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

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