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ZXMN3A02N8TA

厂家：: Diodes Inc. / Zetex
封装：: 8-SO
数量：: 3015
说明：: MOSFET 30V N Chnl UMOS

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ZXMN3A02N8TA PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：35 ns
工厂包装数量：500
上升时间：5.5 ns
功率耗散：1.56 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：5.5 ns
包装形式：Reel
封装形式：SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.035 Ohms
漏极连续电流：9 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：过渡期间
产品种类：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

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