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中文参数如下:
工厂包装数量:4000
功率耗散:330 mW
包装形式:Bulk
封装形式:SOT-23
安装风格:SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS(导通):25 Ohms
漏极连续电流:60 mA
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:200 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Diodes Inc.
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