中文参数如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：500mW（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：180 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：±12V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：300 毫欧 @ 400mA，4.5V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：700mA（Ta）
漏源电压（Vdss）：20 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：P 通道
产品状态：不适用于新设计
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：Torex Semiconductor Ltd
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