VP2106N3-P013-G

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中文参数如下：

工厂包装数量：2000
功率耗散：0.74 W
包装形式：Reel
封装形式：TO-92
安装风格：Through Hole
电阻汲极/源极 RDS（导通）：12 Ohms
漏极连续电流：- 0.25 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：- 60 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Supertex

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