VP0808B-E3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 TO-39
数量:
 6804  
说明:
 MOSFET 80V 3A 6.25W
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VP0808B-E3 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:20 ns
工厂包装数量:100
上升时间:30 ns
功率耗散:6.25 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:20 ns
包装形式:Bulk
封装形式:TO-205AD
安装风格:Stud
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):5 Ohms
漏极连续电流:0.88 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:- 80 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是VP0808B-E3的详细信息,包括VP0808B-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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