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VP0808B-E3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 TO-39
数量：
 6804  
说明：
 MOSFET 80V 3A 6.25W
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VP0808B-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：20 ns
工厂包装数量：100
上升时间：30 ns
功率耗散：6.25 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：20 ns
包装形式：Bulk
封装形式：TO-205AD
安装风格：Stud
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：5 Ohms
漏极连续电流：0.88 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：- 80 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是VP0808B-E3的详细信息，包括VP0808B-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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