VNW50N04-E

厂家:
  STMicroelectronics
封装:
 TO-247
数量:
 5652  
说明:
 MOSFET N-Ch 42V 50A OmniFET
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

VNW50N04-E PDF参数资料

中文参数如下:

工厂包装数量:30
功率耗散:208 W
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :50 S
包装形式:Tube
封装形式:TO-247
安装风格:Through Hole
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.012 Ohms
漏极连续电流:50 A
汲极/源极击穿电压:42 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:STMicroelectronics

以上是VNW50N04-E的详细信息,包括VNW50N04-E厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

  • VO0600T图片

    VO0600T

    高速光耦合器 10Mbd Open Collector Single Channel

  • VO0601T图片

    VO0601T

    高速光耦合器 10Mbd Open Collector Single Channel

  • VO0611T图片

    VO0611T

    高速光耦合器 10Mbd Open Collector Single Channel

  • VO0630T图片

    VO0630T

    高速光耦合器 Dual 10Mbd Hi-Speed Open Drain Out

  • VO0631T图片

    VO0631T

    高速光耦合器 Dual 10Mbd Hi-Speed Open Drain Out

  • VO0661T图片

    VO0661T

    高速光耦合器 Dual 10Mbd Hi-Speed Open Drain Out

  • VO1263AAC图片

    VO1263AAC

    光电二极管输出光电耦合器 Dual Photovoltaic MOSFET Driver

  • VO1263AACTR图片

    VO1263AACTR

    光电二极管输出光电耦合器 Dual Photovoltaic MOSFET Driver

  • VO1263AB图片

    VO1263AB

    光电二极管输出光电耦合器 Dual Photovoltaic MOSFET Driver

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC