VN50300T

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-236-3
数量：: 5031
说明：: MOSFET 500V 0.33A

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VN50300T PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：8 ns
工厂包装数量：1000
上升时间：7 ns
功率耗散：350 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：7 ns
封装形式：TO-236-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：300000 mOhms
漏极连续电流：0.022 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：500 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Vishay

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