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VN2010L

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 TO-226AA
数量：
 4779  
说明：
 MOSFET 200V 0.19A 0.8W
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VN2010L PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：500
功率耗散：0.8 W
最小工作温度：- 55 C
封装形式：TO-226AA
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：10 Ohms
漏极连续电流：0.19 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：200 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Vishay

以上是VN2010L的详细信息，包括VN2010L厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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