VN10LPSTZ

厂家：: Diodes Inc. / Zetex
封装：: E-Line（TO-92 兼容）
数量：: 7128
说明：: MOSFET VMOS N Channel

一、本商品被浏览0次.

VN10LPSTZ PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：4000
功率耗散：625 mW
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Bulk
封装形式：TO-92
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：7.5 Ohms
漏极连续电流：270 mA
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

以上是VN10LPSTZ的详细信息，包括VN10LPSTZ厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：