首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > VN0300L-G-P002

VN0300L-G-P002

厂家：
  Microchip Technology
封装：
 TO-92-3
数量：
 5559  
说明：
 MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
VN0300L-G-P002-TO-92-3图片

VN0300L-G-P002 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：1W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：190 pF @ 20 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.2 欧姆 @ 1A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：640mA（Tj）
漏源电压（Vdss）：30 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Microchip Technology

以上是VN0300L-G-P002的详细信息，包括VN0300L-G-P002厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • PSMN1R4-30YLDX
  • IXTY90N055T2-TRL
  • IPB100N06S2L05ATMA2
  • AOTF292L
  • AOWF20S60
  • AOW20S60
  • GT100N12D5
  • SQJ886EP-T1_BE3
  • DMT15H017LPS-13
  • BUK7M4R3-40HX

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC