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VMO580-02F

厂家：
  Ixys
封装：
 Y3-Li
数量：
 1908  
说明：
 MOSFET HiperFET 200V 580A
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VMO580-02F-Y3-Li图片

VMO580-02F PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：900 ns
工厂包装数量：2
上升时间：500 ns
最小工作温度：- 40 C
下降时间：500 ns
包装形式：Box
封装形式：Y3-Li-4
安装风格：Screw
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Dual Source
漏极连续电流：580 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：200 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：IXYS

以上是VMO580-02F的详细信息，包括VMO580-02F厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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