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VMO650-01F

厂家：: Ixys
封装：: Y3-DCB
数量：: 1892
说明：: MOSFET 650 Amps 100V

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VMO650-01F PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：800 ns
工厂包装数量：2
上升时间：500 ns
功率耗散：2500 W
最小工作温度：- 40 C
下降时间：200 ns
包装形式：Bulk
封装形式：Y3-DCB
安装风格：Screw
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Dual Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0018 Ohms
漏极连续电流：690 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是VMO650-01F的详细信息，包括VMO650-01F厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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