UMW1NTR

厂家：: ROHM Semiconductor
封装：: UM-5
数量：: 8883
说明：: 两极晶体管 - BJT DUAL NPN/NPN

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UMW1NTR PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：3000
包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：150 mW
直流电流增益 hFE 最大值：120 at 1 mA at 6 V
封装形式：UM-5
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：120 at 1 mA at 6 V
增益带宽产品fT：180 MHz
最大直流电集电极电流：0.15 A
发射极 - 基极电压 VEBO：7 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：50 V
集电极—基极电压 VCBO：60 V
晶体管极性：NPN
配置：Dual
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：ROHM Semiconductor

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