UMW2N

厂家:
  ROHM Semiconductor
封装:
 UMT
数量:
 3825  
说明:
 两极晶体管 - BJT 60V 150mA 120 Min hFE
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UMW2N PDF参数资料

中文参数如下:

包装形式:Reel
最大功率耗散:300 mW
直流电流增益 hFE 最大值:120 at 1 mA at 6 V
封装形式:UMT
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:120 at 1 mA at 6 V
增益带宽产品fT:180 MHz
最大直流电集电极电流:0.15 A
发射极 - 基极电压 VEBO:7 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V
集电极—基极电压 VCBO:60 V
晶体管极性:NPN
配置:Dual
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:ROHM Semiconductor

以上是UMW2N的详细信息,包括UMW2N厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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