TSM9N50CI C0

厂家：: Taiwan Semiconductor
封装：: ITO-220
数量：: 3582
说明：: MOSFET 500V 9Amp N Channel Pwr MOSFET Isolated

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TSM9N50CI C0 PDF参数资料

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中文参数如下：

上升时间：23 nS
功率耗散：125 W
栅极电荷 Qg：63 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：5.9 S
下降时间：20 nS
封装形式：ITO-220
安装风格：Through Hole
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.85 Ohms
漏极连续电流：9 A
汲极/源极击穿电压：500 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Taiwan Semiconductor

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