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中文参数如下:
上升时间:14 nS
功率耗散:125 W
栅极电荷 Qg:46 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :3.7 S
下降时间:19 nS
封装形式:TO-220
安装风格:Through Hole
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):1.2 Ohms
漏极连续电流:7 A
汲极/源极击穿电压:650 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Taiwan Semiconductor
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