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中文参数如下:
上升时间:9 nS
功率耗散:45 W
栅极电荷 Qg:12 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :1.5 S
下降时间:4.5 S
封装形式:TO-252
安装风格:SMD/SMT
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):2.7 Ohms
漏极连续电流:3 A
汲极/源极击穿电压:500 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Taiwan Semiconductor
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