TSM2N7000CT

厂家：: Taiwan Semiconductor
封装：: TO-92-3
数量：: 2187
说明：: MOSFET 60V 0.2A 0.35W

一、本商品被浏览0次.

TSM2N7000CT PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：A3
工厂包装数量：2000
上升时间：10 ns
功率耗散：350 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：10 ns
包装形式：Ammo
封装形式：TO-92-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：5300 mOhms
漏极连续电流：0.2 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Taiwan Semiconductor

以上是TSM2N7000CT的详细信息，包括TSM2N7000CT厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：