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中文参数如下:
零件号别名:A3
工厂包装数量:2000
包装形式:Ammo
最小工作温度:- 55 C
最大功率耗散:1500 mW
封装形式:TO-92
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:6 at 10 mA at 2 V, 23 at 400 mA at 2 V, 8 at 1 A at 2 V
增益带宽产品fT:4 MHz (Min)
最大直流电集电极电流:1.5 A
发射极 - 基极电压 VEBO:9 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:400 V
集电极—基极电压 VCBO:700 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Taiwan Semiconductor
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