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中文参数如下:
零件号别名:A3
工厂包装数量:2000
包装形式:Ammo
最小工作温度:- 55 C
最大功率耗散:1960 mW
直流电流增益 hFE 最大值:15 at 10 mA at 10 V
封装形式:TO-92
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:15 at 10 mA at 10 V, 20 at 400 mA at 10 V, 6 at 1 A at 10 V
增益带宽产品fT:4 MHz
最大直流电集电极电流:1.5 A
发射极 - 基极电压 VEBO:10 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:530 V
集电极—基极电压 VCBO:900 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Taiwan Semiconductor
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