TPCM8001-H(TE12L,Q

厂家:
  Toshiba
封装:
 TSSOP-ADV
数量:
 2736  
说明:
 MOSFET MOSFET N-Ch 30V 20A Rdson=0.0095Ohm
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
TPCM8001-H(TE12L,Q-TSSOP-ADV图片

TPCM8001-H(TE12L,Q PDF参数资料

中文参数如下:

典型关闭延迟时间:57 ns
工厂包装数量:3000
上升时间:70 ns
功率耗散:30 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:41 ns
包装形式:Reel
封装形式:TSSOP-ADV
安装风格:SMD/SMT
配置:Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0095 Ohms
漏极连续电流:20 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Toshiba

以上是TPCM8001-H(TE12L,Q的详细信息,包括TPCM8001-H(TE12L,Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC