TPCF8B01(TE85L,F)

厂家：: Toshiba
封装：: VS-8
数量：: 2700
说明：: MOSFET PW TR with SBD P-Ch -20V -2.7A

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TPCF8B01(TE85L,F) PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：4000
上升时间：5 ns
功率耗散：1.35 W
下降时间：8 ns
包装形式：Reel
封装形式：VS-8
安装风格：SMD/SMT
配置：Single Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.11 Ohms
漏极连续电流：2.7 A
闸/源击穿电压：8 V
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Toshiba

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