中文参数如下:
工厂包装数量:3000
上升时间:8 ns
功率耗散:2.2 W
下降时间:18 ns
包装形式:Reel
封装形式:VS-6
安装风格:SMD/SMT
配置:Single Quad Drain
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.028 Ohms
漏极连续电流:6 A
闸/源击穿电压:12 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Toshiba
以上是TPC6005(TE85L,F,M)的详细信息,包括TPC6005(TE85L,F,M)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!