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中文参数如下：
典型关闭延迟时间：19 ns
工厂包装数量：1000
上升时间：25 ns
功率耗散：350 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：25 ns
封装形式：TO-236-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：650 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：0.6 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：否
制造商：Vishay
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