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中文参数如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):1W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):150 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.6V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):6 欧姆 @ 500mA,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):250mA(Tj)
漏源电压(Vdss):200 V
技术:MOSFET(金属氧化物)
FET 类型:N 通道
产品状态:在售
包装:-
系列:卷带(TR),剪切带(CT)
品牌:Microchip Technology
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