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TN0110N3-G-P002

厂家：
  Microchip Technology
封装：
 TO-92-3
数量：
 4821  
说明：
 MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
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TN0110N3-G-P002 PDF参数资料

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：1W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：60 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 500μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3 欧姆 @ 500mA，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：350mA（Tj）
漏源电压（Vdss）：100 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Microchip Technology

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