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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:60 ns
上升时间:20 ns
功率耗散:35 W
栅极电荷 Qg:16 nC
下降时间:11 ns
包装形式:Tube
封装形式:SC-67
安装风格:Through Hole
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.76 Ohms
汲极/源极击穿电压:500 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Toshiba
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